SK하이닉스가 AI용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM3E’ 개발에 성공했다고 21일 밝혔다. 성능 검증 절차를 진행하기 위해 고객사에 샘플 공급도 시작했다.
SK하이닉스는 “HBM3를 독점적으로 양산해 온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 확장 버전인 HBM3E를 개발하는 데 성공했다”며 “업계 최대 HBM 공급 경험과 양산 성숙도를 토대로 내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다”고 밝혔다.
HBM(High Bandwidth Memory)는 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됐으며, 이번에 개발에 성공한 HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다.
HBM3E는 AI용 메모리의 필수 사양인 속도는 물론, 발열 제어, 고객 사용 편의성 등 모든 측면에서 세계 최고 수준을 충족시켰다. HBM3E는 초당 최대 1.15TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는데, 이는 FHD급 영화 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.
어드밴스드 MR-MUF 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능도 기존 대비 10% 향상시켰다. ‘MR-MUF’는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤, 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식보다 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이다.
여기에 과거 버전 제품에도 별도 수정이나 변경 없이 적용 가능한 ‘하위 호환성(Backward compatibility)’도 갖춰, HBM3 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 신제품을 적용할 수 있다.
이안 벅 엔비디아 하이퍼스케일·HPC 담당 부사장은 “엔비디아는 최선단 가속 컴퓨팅 솔루션즈(Accelerated Computing Solutions)용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력을 지속해 왔다”며 “앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이고자 HBM3E 분야에서 양사 간의 협업이 계속되길 기대한다”고 밝혔다.
SK하이닉스 DRAM상품기획담당 류성수 부사장은 “당사는 HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 함께 각광 받고 있는 HBM 시장에서 제품 라인업의 완성도를 높이며 시장 주도권을 확고히 하게 됐다”며 “앞으로 고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영실적 반등 흐름이 가속화될 것”이라고 말했다.
